Xreferat.com » Рефераты по коммуникации и связи » Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Задание 1


Рассчитать параметры элементов усилителя на биполярном транзисторе (БТ). Схема усилителя приведена на рис.1.

Построить графики:

напряжения на выходе ненагруженного источника сигнала;

напряжений в точках 1, 2, 3, 4, 5 при подаче на вход усилителя напряжения источника сигнала и наличии напряжения питания;

напряжения UКЭ.

Привести основные параметры применяемого БТ.

Исходные данные для расчета приведены в табл. 1.

Тип транзистора определяется по первой букве фамилии студента (табл. 2).


Параметры транзисторов

Рис.1 – Принципиальная схема усилительного каскада


Исходные данные для расчета

Наименование параметра Единица измерения Формула для расчета параметра
Напряжение источника сигнала мВ Еи=(mn+40)/20
Внутреннее сопротивление источника сигнала Ом Rн=(120-mn)·5
Нижняя граничная частота усиливаемых сигналов Гц fН=(mn+100)·2
Верхняя граничная частота усиливаемых сигналов Гц fВ=(mn+100)·50
Величина нагрузки кОм Rн=m+10
Емкость монтажа пФ См=(150-mn)/20

Приложение 1. Параметры транзисторов

Параметр Единица измере-ния Тип транзистора


КТ355А КТ343A КТ347А КТ201А КТ312В КТ361Б
Iкб0 мкА 0.5 1 1 1 10 1
h21e - 80…300 >30 30…400 20…60 10…100 50…300
fгр МГц 1500 300 500 10 80 250
Ске пФ 2 6 6 20 5 9
Uкб max В 15 17 15 20 15 25
Uке max В 15 17 15 20 15 25
Iк max мА 60 50 50 20 30 50
Pmax мВт 225 150 150 150 225 150
Tmax оС -55 -10 -40 -60 -40 -60
Tmin оС +125 +150 +85 +125 +85 +100
Тип перехода - n-p-n p-n-p p-n-p n-p-n n-p-n p-n-p

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов В

Параметры транзисторовОм

Параметры транзисторовГц

Параметры транзисторовГц

Параметры транзисторов Ом

Параметры транзисторов Ф

1.Определяем напряжение питания усилителя.

Для заданного типа транзистора должно выполняться условие:


UКE max > E.

UКE max=15 В

Параметры транзисторов

В



2.На входной характеристике транзистора (при UKEПараметры транзисторов0) определяем параметры рабочей точки IБО, UБЕ0 (режим покоя).


Параметры транзисторовПараметры транзисторов


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

В



3.Определяем величину UКЕ0:


UКЕ0 = (0.4 … 0.5)Е.

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



4.На выходных характеристиках транзистора определяем параметр рабочей точки IK0.


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



5.По полученным значениям Е, IK0, UКЕ0 строим динамическую характеристику транзистора.

6.Находим величину сопротивления RК:


RК=0.4Е/ IK0.

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



Мощность, рассеиваемая на резисторе RK, равна


Параметры транзисторов.

Параметры транзисторов



7.Определяем величину сопротивления RЕ в цепи термостабилизации.

Находим падение напряжения на резисторе RЕ:


URe=E-UKE0-0.4E.

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



Далее определяем величину резистора RЕ


RЕ= URe / IK0.

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Мощность, рассеиваемая на резисторе RЕ, равна


Параметры транзисторов.


Мощность, рассеиваемая на резисторе RЕ, равна


Параметры транзисторов.

Параметры транзисторов



По результатам расчетов выбираем стандартные значения и тип резисторов RK и RE.

8.Находим емкость конденсатора СЕ:


Параметры транзисторов(мкФ).

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



9.Находим входное сопротивление переменному току транзистора (в точке покоя по входной характеристике).

Параметры транзисторов.

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

10.Определяем элементы делителя напряжения в цепи базы R1 и R2.

Выбираем ток в цепи делителя из условия


Параметры транзисторов

Параметры транзисторовПараметры транзисторов


IД=(4…5)IБ0.


Определяем величины R1 и R2 по формулам:


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Условие R2=(5…10)RBX выполняется



11.Находим величину напряжения на входе усилителя:


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



12.Определяем коэффициент усиления каскада по напряжению на средних частотах:

Эквивалентное выходное сопротивление каскада


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



и в децибелах


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



13.Находим величину напряжения выходного сигнала на средних частотах


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



14.Определяем величину разделительного конденсатора С2:


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



15.Рассчитываем коэффициент частотных искажений на верхних частотах диапазона:


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



где СМ – паразитная емкость монтажа, СБЕ – емкость участка коллектор – эмиттер.

16. Находим минимальное значение коэффициента усиления каскада по мощности:


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



и в децибелах

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



Строим графики:

напряжения на выходе ненагруженного источника сигнала;

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов



напряжений в точках 1, 2, 3, 4, 5 при подаче на вход усилителя напряжения источника сигнала и наличии напряжения питания;


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Параметры транзисторов

напряжения UКЭ.


Параметры транзисторов


Параметры транзисторов


Задание 2


Рассчитать инвертирующий и неинвертирующий усилители на операционном усилителе (ОУ). Схема должна содержать цепи частотной коррекции и балансировки нуля.

Привести описание работы и основные параметры применяемой микросхемы.

Исходные данные для расчета приведены в табл. 1.

Тип ОУ определяется первой буквой фамилии студента (табл. 3).


Таблица 3

Первая буква фамилии А-Г Д-И К-Н О-С Т-Ц Ч-Я
Тип ОУ К140УД7 К140УД8 К544УД2 К153УД5 К574УД1 К153УД1

Приложение 3. Параметры операционных усилителей

Параметр Единица измере-ния Тип микросхемы


К140УД7 К140УД8 К140УД12 К544УД2 К553УД2 К574УД1
А -

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

В

Параметры транзисторов15

Параметры транзисторов15

Параметры транзисторов15

Параметры транзисторов15

Параметры транзисторов15

Параметры транзисторов15

Параметры транзисторов

мА 4 5 0.04 7 8.5 8

Параметры транзисторов

мВ 9 50 5 30 7.5 50
RBX МОм 0.4 1 50 1000 0.3 1000
RВЫХ Ом 250 200 5000 200 300 200
IВХ нА 400 0.2 11 0.5 1500 0.5

Параметры транзисторов

нА 200 0.1 7 0.5 500 0.2
f1 МГц 0.8 1 0.3 15 1 10
V B/мкс 0.3 2 0.8 20 0.5 50
КОС СФ дБ 70 70 70 70 80 80
UСФ ВХ В

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов12

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов30

Параметры транзисторов

В

Параметры транзисторов10.5

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов10

Параметры транзисторов10

IВЫХ

(RH)

мА

(кОм)

(2) (2) 10 (2) (2) 5

Приложение 4. Схемы операционных усилителей


Параметры транзисторовПараметры транзисторов


В зависимости от условий подачи на вход ОУ усиливаемого сигнала, а также с учетом подключения внешних компонентов можно получить инвертирующее и неинвертирующее включение усилителя. Любое схемотехническое решение с применением ОУ содержит одно из таких включений.

Инвертирующий усилитель


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Напряжение источника сигнала

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Внутреннее сопротивление источника сигнала

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

==>

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Неинвертирующий усилитель


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов

Параметры транзисторов


Задание 3


Рассчитать симметричный мультивибратор на ОУ. Тип ОУ определяется таблицей 3. Исходные данные для расчета:

- амплитуда импульсов Параметры транзисторов В; Umax=2В

- частота импульсов Параметры транзисторовПараметры транзисторовкГц; F=14 кГц

- сопротивление нагрузки RH= (n+2) кОм. Rn=11кОм

Дать описание работы симметричного мультивибратора на ОУ.

Построить графики напряжений в точках 1, 2, 3 относительно корпуса (при наличии напряжения питания).

Определить длительность фронта генерируемого импульса.

Мультивибратор является одним из самых распространённых генераторов импульсов прямоугольной формы, представляющий собой двухкаскадный резистивный усилитель с глубокой положительной обратной связью. В электронной технике используются самые различные варианты схем мультивибраторов, которые различаются между собой по типу используемых элементов (ламповые, транзисторные, тиристорные, микроэлектронные и так далее), режиму работы (автоколебательный, ждущий синхронизации), видам связи между усилительными элементами, способам регулировки длительности и частоты генерируемых импульсов и так далее.

Отнесение мультивибратора к классу автогенераторов оправдано лишь при автоколебательном режиме его работы. В ждущем режиме мультивибратор вырабатывает импульсы только тогда, когда на его вход поступают специальные запускающие сигналы. Режим синхронизации отличается от автоколебательного лишь тем, что в этом режиме с помощью внешнего управляющего (синхронизирующего) напряжения можно изменять частоту генерируемых колебаний.


Схема симметричного мультивибратора на ОУ

Параметры транзисторов


1.

Если Вам нужна помощь с академической работой (курсовая, контрольная, диплом, реферат и т.д.), обратитесь к нашим специалистам. Более 90000 специалистов готовы Вам помочь.
Бесплатные корректировки и доработки. Бесплатная оценка стоимости работы.

Поможем написать работу на аналогичную тему

Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному проекту
Нужна помощь в написании работы?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Похожие рефераты: