Усилитель мощности 1-5 каналов ТВ

где –индуктивности выводов базы и эмиттера, которые берутся из справочных данных.

Входное сопротивление:

, (3.3.17)

Выходное сопротивление имеет такое же значение, как и в схеме Джиакалетто:

.

Выходная ёмкость- это значение ёмкости вычисленное в рабочей точке:

.

3.3.4 Расчёт цепей термостабилизации

При расчёте цепей термостабилизации нужно для начала выбрать вариант схемы. Существует несколько вариантов схем термостабилизации: пассивная коллекторная, активная коллекторная и эмиттерная. Их использование зависит от мощности каскада и от того, насколько жёсткие требования к термостабильности. В данной работе рассмотрены две схемы: эмиттерная и активная коллекторная стабилизации.

3.3.4.1 Эмиттерная термостабилизация

Эмиттерная стабилизация применяется в основном в маломощных каскадах, и получила наиболее широкое распространение. Схема эмиттерной термостабилизации приведена на рисунке 3.3.7. Произведём упрощённый расчёт этой схемы [2].

Рисунок 3.3.7 Принципиальная схема эмитерной термостабилизации

Расчёт производится по следующей схеме:

1.Выбираются напряжение эмиттера и ток делителя (см. рис. 3.4), а также напряжение питания ;

2. Затем рассчитываются .

Напряжение эмиттера выбирается равным порядка . Ток делителя выбирается равным , где - базовый ток транзистора и вычисляется по формуле:

(мА); (3.3.18)

Тогда:

А (3.3.19)

Учитывая то, что в коллекторной цепи отсутствует резистор, то напряжение питания рассчитывается по формуле: (В) ; (3.3.20)

Расчёт величин резисторов производится по следующим формулам:

Ом; (3.3.21)

(Ом); (3.3.22)

(Ом); (3.3.23)

Данная методика расчёта не учитывает напрямую заданный диапазон температур окружающей среды, однако, в диапазоне температур от 0 до 50 градусов для расчитанной подобным образом схемы, результирующий уход тока покоя транзистора, как правило, не превышает (10-15)%, то есть схема имеет вполне приемлимую стабилизацию [2].

3.3.4.2 Активная коллекторная термостабилизация

Активная коллекторная термостабилизация используется в мощных каскадах и является достаточно эффективной, её схема представлена на рисунке 3.3.

Рисунок 3.3.8 Схема активной коллекторной термостабилизации.

В качестве VT1 возьмём КТ814А. Выбираем падение напряжения на резисторе из условия (пусть В), тогда . Затем производим расчёт по формулам [6]:

; (3.3.24)

; (3.3.25)

; (3.3.26)

; (3.3.27)

, (3.3.28)

где – статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ транзистора КТ814;

; (3.3.29)

; (3.3.30)

. (3.3.31)

Получаем следующие значения:

(Ом);

(мА);

(В);

(А);

(А);

(Ом);

(кОм);

(Ом)

Величина индуктивности дросселя выбирается таким образом, чтобы переменная составляющая тока не заземлялась через источник питания, а величина блокировочной ёмкости – таким образом, чтобы коллектор транзистора VT1 по переменному току был заземлён.

Как было сказано выше, эмиттерную термостабилизацию в мощных каскадах применять “невыгодно” так как на резисторе, включённом в цепь эмиттера, расходуется большая мощность, поэтому в нашем случае необходимо выбрать активную коллекторную стабилизацию.

3.3.5 Расчёт корректирующих цепей

3.3.5.1 Расчёт выходной корректирующей цепи

Расчёт всех КЦ производится в соответствии с методикой описанной в [5]. Схема выходной корректирующей цепи представлена на рисунке 3.3.9.

Рисунок 3.3.9 Схема выходной корректирующей цепи

Найдём – выходное сопротивление транзистора нормированное относительно и :

(3.3.32)

.

Теперь, по таблице приведённой в [4], найдём ближайшее к рассчитанному значение и выберем соответствующие ему нормированные величины элементов КЦ: и , а также –коэффициент, определяющий величину ощущаемого сопротивления нагрузки и модуль коэффициента отражения .

Найдём истинные значения элементов по формулам:

; (3.3.33)

;