Xreferat.com » Рефераты по радиоэлектронике » Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике

Расчёт элементов эмиттерно-связанной логике

(2.9)


определяем логический перепад:

    1. Из формулы:


, (2.10)


определяем напряжение статической помехоустойчивости по уровню “0” и “1”.

    1. Из формулы:


, (2.11)


определяем ток логической части элемента :

    1. Из формулы:


(2.12)

и

, (2.13)


определяем точки эмиттерных повторителей:

    1. Из формулы:


(2.14)

и

, (2.15)


определяем ток источника опорного напряжения:

    1. Из формулы:


, (2.16)


определяем общий ток, потребляемый элементом в состоянии “0” и (“1”):


    1. Из формулы:


, (2.17)


определяем мощность потребляемым логической частью элемента:


    1. Из формулы:


, (2.18)


определяем мощность эмиттерных повторителей:


    1. Из формулы:


, (2.19)


определяем мощность потребляемую источником опорного напряжения:

    1. Из формулы (2.17), (2.18), (2.19) определяемм суммарную мощность потребляемая элементом (одинаковая для состояния “0” и “1”):


    1. Из формулы:


, (2.20)

, (2.21)


определяем и :


    1. Из формулы:

, (2.22)


определяем входное сопротивление элемента, когда на входе действует напряжение логического “0”:


    1. Из формулы:


, (2.23)


определяем входное сопротивление элемента, когда на его входе действует напряжение логической “1”:


    1. Из формулы:


, (2.24)


определяем входное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логического “0”:

    1. Из формулы (24) определяем выходное сопротивление элемента, когда на выходе действует напряжение логической “1”:


Расчёт динамических параметров


    1. Из формулы:


, (2.25)


где fT – граничная частота усиления транзистора.

При fT=11 МГц определяем:

    1. Из формулы:


, (2.26)

и

, (2.27)


где М – количество транзисторов в схеме VT1VT3, VT6; Ск - ёмкость коллекторных переходов транзисторов; Сп1 – паразитная ёмкость металлических соединений и изоляции транзисторов и резистора R1; С2 – ёмкость на выходе транзистора VT6; В – статическое значение коэффициента усиления транзистора VT6; Сн – ёмкость нагрузки; Сп2 – паразитная ёмкость изоляции резистора R6 и металлических соединений подключенных к выходу схемы.

При М=4, Ск=2 пФ, Сп1= 1 пФ, Сн=30 пФ, Сп2= 2 пФ.

    1. Из формулы:


, (2.28)


    1. Из формулы:


, (2.29)


    1. Из формулы:


, (2.30)


определяем время спада:

    1. Из формулы:


, (2.31)


определяем время наростания потениала:

    1. Из формулы:


, (2.32)


определяем задержку при включении:

    1. Из формулы:


, (2.33)


определяем задержку при выключении:

    1. Из формулы:


, (2.34)


определяем среднюю задержку распространения:

    1. Из формулы:


, (2.35)


определяем время перехода из состояния “1” в состояние “0”:


    1. Из формулы:


, (2.36)


определяем время перехода из состояния “0” в состояние “2”:

    1. Из формулы:


, (2.37)



    1. Т

      Если Вам нужна помощь с академической работой (курсовая, контрольная, диплом, реферат и т.д.), обратитесь к нашим специалистам. Более 90000 специалистов готовы Вам помочь.
      Бесплатные корректировки и доработки. Бесплатная оценка стоимости работы.

Поможем написать работу на аналогичную тему

Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному проекту
Нужна помощь в написании работы?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus. Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.

Похожие рефераты: