Усилитель корректор
мкГн.
Схема пассивной коллекторной термостабилизации представлена на рисунке 4.4.2.
Р
исунок
4.4.2
Здесь осуществляет смещение напряжения, а также используется в качестве элемента термостабилизации.
Примем =;
, (4.19)
где ; (4.20)
А;
КОм;
; (4.21)
8,3 В.
Рассмотрим схему активной коллекторной термостабилизации [5].
Р
исунок
4.4.3
В данной схеме транзистор VT2 используется в качестве элемента термостабилизации. Ток коллектора VT2 является базовым током смещения. Здесь ,-базовый делитель для транзистора VT2, предотвращает генерацию в каскаде.
>1 В,
примем =1 В;
; (4.22)
Ом;
; (4.23)
В;
, (4.24)
где ток коллектора транзистора VT1, статический коэффициент передачи тока с общим эмиттером транзистора VT1 -ток базового смещения транзистора VT1.
А;
, (4.25)
где - ток коллектора транзистора VT2.
, (4.26)
где ,-напряжения рабочей точки транзистора VT1 и VT2.
В;
; (4.27)
Ом;
; (4.28)
; (4.29)
где Ом;
Ом;
Ом.
Для данного каскада схема эмиттерной термостабилизации более приемлема, чем остальные. Во-первых, она обеспечивает высокую стабильность, во-вторых, она легко реализуема, так как содержит малое количества элементов, в-третьих, эта схема применяется для маломощных каскадов.
4.5 Расчет элементов высокочастотной коррекции
Так как нужно реализовать усилитель с подъемом АЧХ, то необходимо применение диссипативной межкаскадной корректирующей цепи четвёртого порядка [1]. Принципиальная схема усилителя с межкаскадной корректирующей цепью четвертого порядка приведена на рисунке 4.5.1,а, эквивалентная схема по переменному току - на рисунке 4.5.1,б.
а) б)
Р
исунок
4.5.1
Коэффициент усиления каскада на транзисторе VT2 в области верхних частот можно описать выражением:
, (4.30)
где ,коэффициент усиления каскада (4.31)
;
;
;
;
;
;
RВХН –нормированное входное сопротивление транзистора VT2; , , ,
, – нормированные относительно