Xreferat.com » Рефераты по радиоэлектронике » Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники
Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники
имеет
величину порядка
интенсивности
солнечного
света. При такой
освещенности
прибор с типичными
параметрами
полупроводника
находится в
состоянии
насыщения, и
выходной сигнал
не зависит от
интенсивности
света. При этом
фотовольтаические
эффекты на
соседних p-n
переходах
взаимно уничтожаются,
а фотомагнитные
складываются,
и ФМЭ наблюдается
в чистом виде,
а не на фоне
первичной фото
эдс. Использование
многослойной
структуры
позволяет не
только увеличить
вольтовую
чувствительность
прибора, но и
снизить порог
чувствительности.
Прибор
прост в эксплуатации,
не требует
электрического
питания, стабилизации
и измерения
освещенности
и монохроматизации
света.
Список использованной литературы
Равич Ю. И., «Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение», 1972.
www.informost.ru, «Функциональная электроника»,
Милинкис Б. М., Щука А. А., 2002
www.uran.donetsk, Кузнецов А. В, «Функциональная электроника», 2001
www.phys.nsu, Кравченко А. Ф., Физические основы информационных технологий, 2002
Амброзяк С., «Конструкция и технология полупроводниковых фотоэлектрических приборов», 1973
Устюжанинов В. Н., Фролова Т. Н. «Нестационарные и релаксационные эффекты в полупроводниках», Владимир, 2002
Рывкин С. М., «Фотоэлектрические явления в полупроводниках», 1963
www.ispu.ru, «Физика твердого тела», Егоров В.Н., 2002
Если Вам нужна помощь с академической работой (курсовая, контрольная, диплом, реферат и т.д.),
обратитесь к нашим специалистам. Более 90000 специалистов готовы Вам помочь.
Бесплатные корректировки и доработки. Бесплатная оценка стоимости работы.
Нужна помощь в написании работы?
Мы - биржа профессиональных авторов (преподавателей и доцентов вузов). Пишем статьи РИНЦ, ВАК, Scopus.
Помогаем в публикации. Правки вносим бесплатно.