Xreferat.com » Рефераты по радиоэлектронике » Усилитель промежуточной частоты

Усилитель промежуточной частоты

максимальная удельная емкость из допустимого уровня производственного брака:

пФ/мм2 (50)

Определим минимальную удельную емкость, приняв значение максимальной толщины диэлектрика:

мм.

Тогда:

пФ/мм2 (51)

Выберем удельную емкость из условия:

(52)

пФ/мм2

Определим соответствующую С0 толщину диэлектрика:

мм. (53)

Определим расчетную активную площадь конденсатора:

мм2 (54)

Определим расчетное значение длины и ширины верхней обкладки конденсатора при выбираем коэффициенте формы:

мм. мм. (55)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. мм.

h = 0.2 мм. – минимальное расстояние краем нижней и верхней обкладок, обусловленное выбранной технологией.


Определим расчетное значение длины и ширины нижней обкладки конденсатора:

мм. мм. (57)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. мм.

мм. – минимальное расстояние между краем нижней обкладки и диэлектрическим слоем, обусловленное выбранной технологией.

Определим расчетное значение длины и ширины диэлектрического слоя конденсатора:

мм. мм. (59)

С учетом масштаба фото оригинала:

мм. мм.

Определим площадь, занимаемую конденсатором:

мм2 (61)

Определим точность емкости сконструированного конденсатора. Для этого определим среднее значение относительной погрешности активной площади:

(62)

Определим среднее значение производственной погрешности:

(63)

определим поле рассеяния относительной погрешности активной площади:

(64)

Определим поле рассеяния производственной погрешности:

(65)

Определим положительное и отрицательное значение предельного отклонения емкости:

(66)

(67)

Предельное отклонение емкости будет равно максимальному из этих значений:

Проверим условие: Ю

Как видно это условие выполняется, из этого следует, что выбранный материал нам подходит по своим характеристикам.

Пользуясь этим расчетом рассчитываем остальные конденсаторы, а результаты запишим в таблицу №2.

Таблица №2.


L1

B1

L2

B2

Lд

Bд

S

SP

С1; C4

14.55 14.55 14.15 14.15 14.75 14.75 217.563 200

С2; C5

7.15 7.15 6.75 6.75 7.35 7.35 54.022 45.333

С3; C6

3.55 3.55 3.15 3.15 3.75 3.75 14.063 10

Заключение


В ходе данного курсового проекта была разработана конструкция микросборки усилителя промежуточной частоты. Проведен расчет топологии микросборки (расчет пассивных элементов схемы и их расположения на подложке). Разработана маршрутная технология микросборки. Сделан анализ конструкции микросборки. Таким образом, все требования технического задания были выполнены.


Список литературы


  1. Коледов Л.А. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование. М: «Высшая школа» 1984 г.

  2. Парфенов О.Д. Технология микросхем М:«Высшая школа» 1986 г.

  3. Сажин Б.Н. Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1987 г.

  4. Сажин Б.Н. Фотолитография в технологии тонкоплёночных микросхем и микросборок Рязань РРТИ 1993 г.

  5. Сёмин А.С. Конструирование пассивных элементов плёночных микросборок Рязань РРТИ 1983 г.

  6. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем Рязань РРТИ 1978 г.

  7. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем ч.1. Рязань РРТИ 1981 г.

  8. Сёмин А.С. Конструкция и технология микросхем ч. 2. Рязань РРТИ 1981 г.

  9. Сёмин А.С. Оформление конструкторской документации на плёночные микросборки Рязань РРТИ 1983 г.

  10. Сёмин А.С. Методические указания к курсовому проекту по курсу «конструирование и расчет микросхем» Рязань РРТИ 1971 г.

Если Вам нужна помощь с академической работой (курсовая, контрольная, диплом, реферат и т.д.), обратитесь к нашим специалистам. Более 90000 специалистов готовы Вам помочь.
Бесплатные корректировки и доработки. Бесплатная оценка стоимости работы.

Поможем написать работу на аналогичную тему

Получить выполненную работу или консультацию специалиста по вашему учебному проекту

Похожие рефераты: